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Open FET Sensor – Open-Gate Junction FET Elektrometer mit extrem kleinem Leckstrom


Kurzfassung

Der Open FET Sensor ist ein Feldeffekttransistor-basierter Sensor, bei der die Gate-Elektrode nur mit dem zu messenden Signal und nicht – wie sonst üblich – mit weiteren elektronischen Komponenten verbunden ist. Durch die Kühlung des n-Junction FET kann der Leckstrom auf 10-20 A reduziert werden. Damit kommt der Open FET Sensor einer idealen Spannungsmessung schon sehr nahe. Die Eingangskapazität beträgt ca. 5 pF; die volle Bandbreite beträgt 10 kHz. Das Eingangsrauschen ist kleiner als 1 µV/√Hz.


Vorteile

Trotz der extremen Messempfindlichkeit ist der Open FET Sensor relativ robust. Er verträgt außerhalb des Messbereichs Eingangsströme von einigen 10 µA und schützt sich dadurch gegen elektrostatische Aufladungen. Das bedeutet, dass in der Praxis keine besonderen Vorsichtsmaßnahmen ergriffen werden müssen, wie es z. B. bei einem MOS-Feldeffekttransistor erforderlich wäre.

Besonders gut eignet sich der Open FET Sensor für die Rasterkraft- und Rastertunnelmikroskopie bei tiefen Temperaturen. Die Messleitungen können kurz gehalten werden und man erhält eine Impedanzwandlung über 12 Größenordnungen. Die Robustheit erlaubt z. B. auch die Präparation der Sensorspitze bei hohen Spannungen und Strömen.


Anwendungsbereiche

Der Open FET Sensor bietet die Möglichkeit kleine Spannungen bei extrem niedrigen Strömen zu messen. Er ist robust und vielfältig einsetzbar. So kann er in der Rasterkraft- und Rastertunnelmikroskopie oder als Elektrometer eingesetzt werden. Aufgrund des einfachen Aufbaus, der keine weitere elektronische Beschaltung notwendig macht, ist er kostengünstig und einfach herzustellen.


Service

Eine deutsche Patentanmeldung wurde eingereicht, internationale Anmeldungen sind noch möglich. Im Namen der Universität Duisburg-Essen bieten wir interessierten Unternehmen die Möglichkeit zu Lizensierung und zur Weiterentwicklung der Technologie.


PROvendis GmbH

Dipl.-Ing. Andreas Brennemann
+49.208 94105-33
ab@provendis.info
www.provendis.info
Adresse
Schloßstr. 11-15
45468 Mülheim an der Ruhr



Entwicklungsstand

Machbarkeit


Patentsituation

  • DE anhängig

Stichworte

Feldeffekttransistor, JFET, Sensor, Elektrometer, AFM, Spannungsmessung, Messtechnik, Field effect transistor, JFET, sensor, electrometer, AFM, voltage measurement, measurement Technology

Angebot Anbieter-Website


Kontakt | Geschäftsstelle

TransferAllianz e. V.
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(Geschäftsführerin)

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D-35394 Gießen