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Selbstsperrendes Halbleitertransistorbauelement

Ref-Nr: TA-201820VER


Kurzfassung

Bei der vorgestellten Erfindung handelt es sich um eine neuartige Schichtenfolge für ein Halbleitertransistorbauelement, wodurch dieses selbstsperrend wird.


Hintergrund

Galliumnitrid basierte Transistoren sind hervorragend für hocheffiziente Leistungselektronikkomponenten geeignet. Durch die Materialeigenschaften sind diese Transistoren jedoch meist nicht selbstsperrend was aus Sicherheitsaspekten vermieden werden soll.


Bilder & Videos


Lösung

Erfinder der Otto-von-Guericke Universität Magdeburg haben für das oben genannte Problem eine Lösung gefunden. Diese Lösung besteht im Aufbringen einer Galliumnitridschicht mit einer dem Elektronenkanal entgegengesetzten löcherleitenden Schicht unter dem Gatekontakt. Dies wird typischerweise mit p-Typ Galliumnitrid realisiert wobei die p-Leitfähigkeit dieser Schichten stark limitiert ist. Als Alternative wird hier eine p-leitende Schicht aus einem anderen Halbleitermaterial, wie z.B. aus der Gruppe der Chalkopyrite aufgebracht, die sehr hohe p-Leitfähigkeiten ermöglichen und daher auch dünner ausgelegt werden können.


Vorteile

• Dünnere Schicht • Bessere Leistungsfähigkeit der Bauelemente


Anwendungsbereiche

• Leistungselektronik • Elektrotechnik • Elektronische Bauteile • Elektronische Materialen • Solar + Halbleiter


Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg

Dr.rer.nat. Karen Henning
0391 67-52091
karen.henning@ovgu.de
www.ovgu.de
Adresse
Universitätsplatz 2
39106 Magdeburg



Entwicklungsstand

Idee


Patentsituation

  • DE DE10 2018 115 224 A1 anhängig

Stichworte

Transistor, Halbleiter, Galliumnitrid, Schicht

Angebot Anbieter-Website


Kontakt | Geschäftsstelle

TransferAllianz e. V.
Christiane Bach-Kaienburg
(Geschäftsführerin)

c/o TransMIT GmbH
Kerkrader Straße 3
D-35394 Gießen